近期，由西安電子科技大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在學(xué)術(shù)期刊 Applied Physics Letters 發(fā)布了一篇名為 3 kV fully vertical β-Ga₂O₃ junction termination extension Schottky barrier diode with sputtered p-GaN（3 kV 全垂直 β-Ga₂O₃ 結(jié)終端擴(kuò)展肖特基勢(shì)壘二極管與濺射 p-GaN）的文章。

1. 項(xiàng)目支持

該項(xiàng)研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金（Grant No. 62474135、62104184、62234009、62090014 和 62404165）、中國(guó)博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃（Grant No. BX20200262）、中國(guó)博士后科學(xué)基金（Grant No. 2021M692499 和 2023M732730）、中國(guó)博士后科學(xué)基金特別資助項(xiàng)目（Grant No. GZB20230557）以及陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃（Grant No. 2024JC-YBQN-0611）的支持。

2. 主要內(nèi)容

研究團(tuán)隊(duì)制備了一種全垂直 p-GaN/n-Ga₂O₃ JTE-SBD，并系統(tǒng)研究其電學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該器件在 0.8V 的導(dǎo)通電壓（V_on）下，具有 6.15 mΩ·cm² 的特定導(dǎo)通電阻（R_on,_sp），3 kV 的擊穿電壓（BV），以及 1.46 GW/cm² 的巴利加優(yōu)值。此外，I-V-T 測(cè)試表明，該器件的反向泄漏電流機(jī)制在不同偏壓下由 Poole–Frenkel 效應(yīng)（PF）向可變范圍跳躍導(dǎo)電機(jī)制（VRH）過渡，揭示了 p-GaN 層對(duì)電場(chǎng)調(diào)控的作用。

3. 實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)

(1)   結(jié)構(gòu)與制備工藝

采用 EFG 法生長(zhǎng) 650 μm 厚 n⁺-Ga₂O₃（ND：4.5×10¹⁸ cm^-3）；

采用 HVPE 法制備 10 μm 厚 n^--Ga₂O₃（ND：2×10¹⁶ cm^-3）。

采用濺射方法沉積 500 nm 厚的 p-GaN，濺射功率 200W。

在 N₂ 氣氛中進(jìn)行 750°C 退火 10 分鐘，以激活 Mg 摻雜。

選擇性蝕刻 p-GaN 以暴露肖特基接觸區(qū)域。

陽極濺射 Ni/Au（45/400 nm）。

陰極濺射 Ti/Al/Ni/Au（20/160/55/45 nm）。

(2)測(cè)試與分析

在 1 MHz 頻率下測(cè)量電容-電壓（C-V）特性，并通過 1/C²-V 曲線提取內(nèi)建電勢(shì)（V_bi,0）。

計(jì)算得到 JTE-SBD 的肖特基勢(shì)壘高度（qΦ_b）為 1.113 eV，相比參考 SBD（Ref-SBD）的 1.011 eV 略高。

導(dǎo)通電壓 V_on = 0.8V，開/關(guān)電流比（I_on/I_off）> 10⁸。

由于陽極邊緣 p-n 結(jié)的屏蔽效應(yīng)，R_on,sp 從 5.51 mΩ·cm² 上升至 6.15 mΩ·cm²。

使用 Silvaco 仿真，發(fā)現(xiàn) JTE 結(jié)構(gòu)使肖特基接觸邊緣的峰值電場(chǎng)從 8 MV/cm 降低至 6 MV/cm，有效抑制了局部擊穿。

在 50°C 至 250°C 之間測(cè)量 I-V 特性，發(fā)現(xiàn) R_on,sp 隨溫度上升線性增加，每升高 1°C，R_on,sp 增加 0.032 mΩ·cm²。

4. 總結(jié)

研究團(tuán)隊(duì)提出采用濺射 p-GaN 制備全垂直 p-GaN/n-Ga₂O₃ JTE-SBD。該 JTE-SBD 實(shí)現(xiàn)了 3 kV 的 BV 和 1.46 GW/cm² 的 BFOM。進(jìn)行了 I-V-T 測(cè)試以分析 JTE-SBD 的漏電流傳輸機(jī)制。結(jié)果表明，在 -1 至 -20 V 范圍內(nèi)，勢(shì)壘熱發(fā)射（PF）是主要機(jī)制，發(fā)射勢(shì)壘 qφ_t 為 0.74 eV。在 20 至 200 V 范圍內(nèi)，聲子輔助隧穿（VRH）成為主要機(jī)制。

5. 實(shí)驗(yàn)圖示

圖 1. (a) p-GaN/n-Ga₂O₃ JTE-SBD 的結(jié)構(gòu)示意圖和制造工藝圖。(b) 以 52° 的傾斜角和 2700 倍的放大率拍攝的 JTE-SBD 掃描電鏡圖像。(c) 對(duì)藍(lán)寶石襯底上濺射的 p-GaN 中鎂元素分布的 SIMS 分析。(d) 5 nm 尺度的濺射 p-GaN HRTEM 分析。(e) 對(duì)濺射 p-GaN 的 SAED 測(cè)試。

圖 2. (a) p-GaN/n-Ga₂O₃ JTE-SBD 的 C-V 和 (b) 1/C²-V 特性。(c) 從 C-V 測(cè)量中提取的 n^--Ga₂O₃ 漂移層 N_D-N_A。

DOI：

doi.org/10.1063/5.0243637

本文轉(zhuǎn)發(fā)自《亞洲氧化鎵聯(lián)盟》訂閱號(hào)